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更新日期2020-09-07 15:19
品牌： |
未填 |
所在地： |
廣東 深圳市 |
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有效期至： |
長期有效 |
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統, 帶有水冷方式, 低成本設計提供高離子電流. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性：
1.水冷 - 與 KRI 霍爾離子源 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
2.可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
3.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
4.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
5.高效的等離子轉換和穩定的功率控制
伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號及技術參數:
|
離子源型號
|
霍爾離子源
eH2000 |
|
Cathode/Neutralizer |
F or HC |
|
電壓 |
50-300V |
|
電流 |
10A |
|
散射角度 |
>45 |
| 可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
|
氣體流量 |
2-75sccm |
|
高度 |
4.0“ |
|
直徑 |
5.7“ |
|
水冷 |
是 美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000 應用領域：伯東 KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域： 1. 離子輔助鍍膜 IAD 2. 預清洗 Load lock preclean 3. 預清洗 In-situ preclean 4. Direct Deposition 5. Surface Modification 6. Low-energy etching 7. III-V Semiconductors 8. Polymer Substrates |
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