日立ABB IGBT模塊，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模塊，Lite-On（光寶）光耦驅(qū)動(dòng)，SCR功率薄膜電容等核心功率器件。
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產(chǎn)品價(jià)格面議
產(chǎn)品品牌日立能源ABB
最小起訂≥1 只
供貨總量999 只
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更新日期2024-04-13 12:06
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品牌： |
日立能源ABB |
所在地： |
湖北 武漢市 |
起訂： |
≥1 只 |
供貨總量： |
999 只 |
有效期至： |
長期有效 |
Vce： |
3300V |
Ic： |
1000A |
品牌： |
ABB |
ABB IGBT模塊5SNA 1000N330300
價(jià)格：電議/面議
起訂量： 1
供貨總量： 999
發(fā)貨期： 10天內(nèi)發(fā)貨
包裝說明:： 盒裝
產(chǎn)品規(guī)格： 只
日期： 2024
5SNA 1000N330300
HiPak IGBT Module
VCE = 3300 V
IC = 1000 A
超低損耗、堅(jiān)固耐用的SPT+芯片組
平滑切換SPT+芯片組，實(shí)現(xiàn)良好的EMC
用于高功率循環(huán)能力的AlSiC基板
低熱阻氮化鋁基板
改進(jìn)的高可靠性封裝
在UL1557下識(shí)別，文件E196689
ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT，雙/橋臂式IGBT，斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關(guān)低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點(diǎn)。推出的62Pak快速轉(zhuǎn)換IGBT中壓功率模塊，具有的開關(guān)損耗，在175°C下全方SOA運(yùn)行，標(biāo)準(zhǔn)封裝要求并容易替換。
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