基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于光儲中的Boost、T型三電平、DCDC等高開關頻率拓撲。

組串式逆變器是基于模塊化概念基礎上的，每個光伏組串通過一個逆變器，多塊電池板組成一個組串，接入小功率單相逆變器在直流端具有最大功率峰值，在交流端并聯并網，已成為現在全球市場上最流行的逆變器。拓撲結構采用DC-DC－BOOST升壓（MPPT）和DC－AC逆變兩級電力電子器件變換，防護等級一般為IP65。體積較小，可室外壁掛式安裝。
組串光伏逆變器有多路MPPT，每路MPPT器件選型為基本?B2M040120Z或B3M040120Z+基本?碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.
MPPT選擇基本?SiC碳化硅功率器件方案的邏輯：
組串式逆變器早期舊方案中的開關管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯或者75A/1200V IGBT，升壓二極管是1200V 60A Si FRD，開關管的開關頻率只有16kHz~18kHz
而新方案選用基本?SiC碳化硅MOSFET開關B2M040120Z或B3M040120Z頻率為40-60kHz，大幅度減小了電感等磁性元件的體積和成本，并且基本?SiC碳化硅功率器件的殼溫低于IGBT方案，提升了系統可靠性。

基本公司SiC碳化硅MOSFET組串式逆變器DC－AC中的應用 SiC MOSFET在三電平并網逆變器中的應用

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z適用于組串式逆變器DC－AC中T型三電平的豎管。逆變器開關頻率通常較高，同時其工作原理決定了開關損耗占比較大，所以豎管需要具有低的開關損耗；基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開關單極型器件，替代升級雙極型 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）。基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過來也降低了總體系統成本。T型三電平橫管可以使用基本公司混合碳化硅器件。
通過使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以很容易地從光伏三電平并網逆變器整體效率的提高中計算出能源使用和成本節約；與IGBT單管解決方案相比，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以將儲能變流器PCS或者光伏三電平并網逆變器的損耗減半，并提供通常2%的額外能量和運行時間?；竟維iC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z的單位成本已經接近IGBT單管。因為基本公司SiC碳化硅MOSFET單管更高的開關頻率允許光伏三電平并網逆變器使用更小、更便宜的磁性元件和散熱器，所以在系統層面上，光伏三電平并網逆變器硬件成本會大大降低。

IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。

為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。