?下述是幾種納米導電粉的介紹：
導電納米ATO復合粉
　　納米級摻銻氧化錫ATO (Antimony Doped TinOxide)是一種n型半導體材料，它集中ATO材料和納米材料的優(yōu)點，是一種新型的多功能透明導電材料。 由于薄膜材料在小型化、集成化等方面的廣泛應用，納米級ATO透明導電薄膜材料與傳統(tǒng)的透明導電材料(如云母等)相比具有明顯優(yōu)勢。

　　首先，ATO薄膜在可見光范圍內，既具有高的光透射，又顯示出準金屬特性的良好導電性能，其良好的電性歸因于Sb2O3 摻雜，使SnO2 半導化。 同時，ATO膜還具有良好的減反射性、抗輻射及紅外吸收功能等。 其次， ATO 透明導電薄膜具有良好的化學穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、抗腐蝕性和耐候性，并且ATO膜和基材粘附性好、機械強度高。 傳統(tǒng)的透明導電薄膜大多采用有機添加物，在實際應用中易老化，強度較差，容易喪失抗靜電功能，且受使用環(huán)境的約束。 相反， ATO 膜不受氣侯和使用環(huán)境的限制。 第三，納米ATO材料有明顯的表面效應、體積效應和量子效應，因此它具有許多體相材料和微米材料所不具備的獨特物化性能。

　　利用其納米化所具有的高電導率、特異的藍色調等特性，使ATO材料具有更加廣泛的應用領域，如在顯像管或顯示屏上涂一層納米級ATO透明導電薄膜材料，可有效防止電視機或顯示器靜電、眩光與輻射。以SnCl4·5H2O和SbCl3 為原料，采用共沉淀法制得納米級的SnO2 超細粉。 運用差示掃描熱法2失重分析(DSC2TG) 、X 射線衍射(XRD) 、透射電鏡( TEM)和紫外可見光光譜分析(UV)等觀測手段對微粉末進行了表征，比較系統(tǒng)地研究了熱處理工藝(溫度、時間)對粉末顆粒度和電阻的影響規(guī)律，探討了摻銻SnO2 導電粉的顯色特性。 介紹了ATO透明導電薄膜材料的特點及3防機理，并綜合了3防ATO透明導電薄膜的研制現(xiàn)狀和應用情況，系統(tǒng)地研究了共沉淀溫度和pH值對粉末顆粒度和電阻的影響規(guī)律。采用非均相成核法，在Sn (OH) 4 晶種上均勻生長Sb摻雜Sn (OH) 4 制備納米ATO粉末。XRD測試結果顯示，制得的納米ATO粉體為四方金紅石型結構，平均粒徑為15 nm，當Sb /Sn (mol比) = 0。 05， pH = 2， T = 60 ℃， SnCl4 =1。 2 - 1。 8 mol·L - 1時，粉體電阻小于0。 5Ω。

　　用涂層方法對滌綸面料進行納米級ATO抗靜電劑的抗靜電功能整理，可以改善織物表面的性能。 陳雪花等在實驗中發(fā)現(xiàn):采用二步刮涂法可使滌綸面料具有持久的抗靜電性能(耐洗性達50次) 。 SEM分析結果表明:只有當ATO 粒子暴露在膜的表面時，才能發(fā)揮抗靜電性能;當ATO粒子以部分湮沒于膜內，部分顯露在膜表面的形式存在于涂層中時，涂膜的抗靜電性能才能持久。納米無機粉體改性纖維材料正逐步成為纖維材料改性的一個重要發(fā)展方向。 目前，納米粉體改性纖維主要集中在將納米TiO2 ， ZnO 共混加入PET， PP， PAN紡絲原液，或對纖維整理后賦予纖維抗菌、除臭、抗靜電等功能方面。 采用直接共混的方法，納米粒子極易團聚，纖維可紡性差，紡絲時噴絲孔易堵塞，纖維強度明顯下降;采用纖維后整理法，纖維手感不好，不耐洗滌。 針對以上問題，采用高導電率的納米粉體ATO( SnO2·Sb2O3 )為抗靜電劑，從不同類型的分散劑中篩選出聚乙烯亞胺( PEI) ，將納米ATO穩(wěn)定均勻地分散于去離子水中，并首次將該懸浮液作為聚丙烯腈纖維紡絲過程的預熱浴，以改善PAN纖維的抗靜電性。 同時，還保持了纖維原有的力學性能和染色性能 。

導電納米TCO復合粉體
　　納米結構的引入對于提高透明導電氧化物材料( Transparent Conductive Oxides， TCOs)的性能具有十分重要的意義，其中Sb摻雜SnO2 ，由于其具有優(yōu)良的機械、化學、熱穩(wěn)定性而得到更多的關注。 ATO可用作智能窗、顯示器件的透明電極、太陽能電池、鋰電池的陰極材料、超細(微)過濾膜材料、顯示器件的3防材料、抗靜電材料，重度摻雜的ATO在電致變色、烯烴的選擇性催化、核燃料廢物的分離等方面應用廣泛。 但是，降低ATO粉體的粒度，提高其比表面積及分散性能是很有必要的。

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所以Sn 粉和Sb I3 為主要原料，在120～170 ℃水熱條件下合成了具有導電能力的Sb摻雜SnO2 (ATO)透明導電納米粉體 。 結果表明，所合成的納米ATO粉體均為四方錫石結構，無其他雜相存在，晶粒大小為4～7 nm，粉體呈單分散狀態(tài)，粉體比表面積為137～182 m2 g- 1 ，隨水熱溫度的升高，晶粒長大，比表面積下降，粉體導電性能提高。 該方法對于其他透明導電氧化物納米粉體的合成具有借鑒意義。

　　目前廣泛使用的抗靜電劑多以季銨鹽類、丙烯酸酯類、咪唑啉等有機物質為主要成分配制的整理劑。 這一類整理劑短期效果較好，但耐洗性較差，而且在干燥地區(qū)，有機抗靜電劑的抗靜電效果大大下降。 為解決以上問題，納米技術被引入其中，目前已經(jīng)制備出一些新型的納米抗靜電織物整理劑，大大降低了織物表面電阻。

導電納米銀粉　　
　　納米銀粒是在水遞質中加入分散劑，結合機械力，通過化學反應生成固體銀分散制成。 用性能良好的水性聚氨酯作為粘合劑，使銀粒子覆固于織物纖維表面，產(chǎn)生較好的抗靜電性能及粘合牢度。 由于納米級銀粒子很小，與金屬鍍層相比，可使織物整理加工后的手感和色旋光性能更為優(yōu)異。

　　導電納米氧化鋁復合粉Al2O3 是應用最廣泛的結構陶瓷材料之一，近來對TiN顆粒增強Al2O3 復合材料的研究引起了人們極大的興趣。 TiN是一種新型材料，具有硬度高(顯微硬度為21 GPa) 、熔點高(2 950 ℃) 、化學穩(wěn)定性好的特點，是一種很好的耐熔耐磨材料。

　　氮化鈦還具有良好的導電性(室溫電阻為3。 34 ×10- 7 Ω·cm) ，可用作熔鹽電解的電極和電觸頭等導電材料。

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所以納米TiN和α2Al2O3 粉體為原料，采用球磨混合法制備了納米TiN2Al2O3 復合粉體，通過熱壓燒結得到致密燒結體，并對納米TiN顆粒影響Al2O3 材料力學性能和導電性能進行了研究。 實驗表明:在Al2O3基體中加入15 vol TiN納米顆粒時，Al2O3 材料的彎曲強度和斷裂韌性分別從370 MPa和3。 4 MPa·m1 /2提高到690 MPa 和5。 1 MPa ·m1 /2。 隨著TiN添加量的增加，復合材料的電阻率逐漸降低，在25 vol時達到最低值(5 ×10- 3Ω·cm)。

導電納米Cu I粉
　　以導電粉體作為填料制備的導電或防靜電材料，在儀器、儀表、塑料、橡膠等工業(yè)中是必不可少的材料。 宋森等在非水溶劑中以CuSO4 和KI為反應試劑制備了球形納米導電Cu I粉體，采用正交試驗設計方法，結合SEM分析，研究了反應溫度、反應試劑濃度、滴加速度、攪拌速度、表面處理劑種類以及含量等因素對納米Cu I結晶形態(tài)和粒徑的影響，得出了合成球形納米級Cu I的優(yōu)化條件 。 另外，通過與市售產(chǎn)品對比，分析了產(chǎn)物的結晶性能和導電性能，表明導電納米Cu I粉具有很好的分散性。